Name: IPB80N06S2H5ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB80N06S2H5ATMA2TR-ND
Price: 4.6948 EUR
Availability: InStock

IPB80N06S2H5ATMA2 is niet op voorraad en kan nabesteld worden.

Beschikbare alternatieven:

Similar

STMicroelectronics

Op voorraad: 842

Eenheidsprijs : 5,08000 €

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

IPB80N06S2H5ATMA2
Productnummer DigiKey	IPB80N06S2H5ATMA2TR-ND - Tape & Reel (TR) IPB80N06S2H5ATMA2CT-ND - Cut Tape (CT) IPB80N06S2H5ATMA2DKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Infineon Technologies
Productnummer fabrikant	IPB80N06S2H5ATMA2
Beschrijving	MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Standaard levertijd fabrikant	18 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal 55 V 80 A (Tc) 300W (Tc) Opbouwmontage PG-TO263-3-2
Gegevensblad	Gegevensblad
EDA/CAD-modellen	IPB80N06S2H5ATMA2 Modellen

Productkenmerken

Filter vergelijkbare producten

Toon lege attributen

Categorie Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's	Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs 155 nC @ 10 V
Fabr. Infineon Technologies	Vgs (max.) ±20V
Serie OptiMOS™	Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds 4400 pF @ 25 V
Verpakking Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Vermogensdissipatie (max.) 300W (Tc)
Status onderdeel Actief	Bedrijfstemperatuur -55°C ~ 175°C (TJ)
FET-type N-kanaal	Soort Automotive
Technologie MOSFET (metaaloxide)	Kwalificatie AEC-Q101
Spanning ontlading-bron (Vdss) 55 V	Type montage Opbouwmontage
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C 80 A (Tc)	Apparaatpakket leverancier PG-TO263-3-2
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On) 10V	Verpakking / doos TO-263-3, D2PAK (2 leads + tab), TO-263AB
Rds aan (max.) bij Id, Vgs 5,2mOhm @ 80A, 10V	Basisproductnummer IPB80N
Vgs(th) (max.) bij Id 4V @ 230µA