Name: IPB65R190CFDAATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB65R190CFDAATMA1TR-ND
Price: 4.5496 EUR
Availability: InStock

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

IPB65R190CFDAATMA1
Productnummer DigiKey	448-IPB65R190CFDAATMA1TR-ND - Tape & Reel (TR) 448-IPB65R190CFDAATMA1CT-ND - Cut Tape (CT) 448-IPB65R190CFDAATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Infineon Technologies
Productnummer fabrikant	IPB65R190CFDAATMA1
Beschrijving	MOSFET N-CH 650V 17.5A D2PAK
Standaard levertijd fabrikant	15 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal 650 V 17,5 A (Tc) 151W (Tc) Opbouwmontage PG-TO263-3
Gegevensblad	Gegevensblad
EDA/CAD-modellen	IPB65R190CFDAATMA1 Modellen

Productkenmerken

Type	Beschrijving	Alles selecteren
Categorie	Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's
Fabr.	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™
Verpakking	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Status onderdeel	Actief
FET-type	N-kanaal
Technologie	MOSFET (metaaloxide)
Spanning ontlading-bron (Vdss)	650 V
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C	17,5 A (Tc)
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds aan (max.) bij Id, Vgs	190mOhm @ 7,3A, 10V
Vgs(th) (max.) bij Id	4,5V @ 700µA
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs	68 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds	1850 pF @ 100 V
FET-kenmerk	-
Vermogensdissipatie (max.)	151W (Tc)
Bedrijfstemperatuur	-40°C ~ 150°C (TJ)
Soort	Automotive
Kwalificatie	AEC-Q101
Type montage	Opbouwmontage
Apparaatpakket leverancier	PG-TO263-3
Verpakking / doos	TO-263-3, D2PAK (2 leads + tab), TO-263AB
Basisproductnummer	IPB65R190