Name: IMYH200R024M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMYH200R024M1HXKSA1-ND
Price: 46.7181 EUR
Availability: InStock

N-kanaal 2000 V 89 A (Tc) 576W (Tc) Through-hole PG-TO247-4-U04

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

IMYH200R024M1HXKSA1
Productnummer DigiKey	448-IMYH200R024M1HXKSA1-ND
Fabrikant	Infineon Technologies
Productnummer fabrikant	IMYH200R024M1HXKSA1
Beschrijving	SIC DISCRETE
Standaard levertijd fabrikant	49 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal 2000 V 89 A (Tc) 576W (Tc) Through-hole PG-TO247-4-U04
Gegevensblad	Gegevensblad
EDA/CAD-modellen	IMYH200R024M1HXKSA1 Modellen

Productkenmerken

Filter vergelijkbare producten

Toon lege attributen

Categorie Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's	Rds aan (max.) bij Id, Vgs 33mOhm @ 40A, 18V
Fabr. Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) bij Id 5,5V @ 24mA
Serie CoolSiC™	Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs 137 nC @ 18 V
Verpakking Buis	Vgs (max.) +20V, -7V
Status onderdeel Actief	Vermogensdissipatie (max.) 576W (Tc)
FET-type N-kanaal	Bedrijfstemperatuur -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie SiCFET (siliciumcarbide)	Type montage Through-hole
Spanning ontlading-bron (Vdss) 2000 V	Apparaatpakket leverancier PG-TO247-4-U04
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C 89 A (Tc)	Verpakking / doos TO-247-4
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On) 15V, 18V	Basisproductnummer IMYH200

Fout in productinformatie melden

Documenten en media

Milieu- en exportclassificaties

Meer resources

Op voorraad: 1.025

Controleer op extra binnenkomende voorraad

Aantal

Alle prijzen zijn in EUR

Buis

Aantal	Eenheidsprijs	Ext Prijs
1	38,61000 €	38,61 €
30	25,91967 €	777,59 €
120	24,76492 €	2.971,79 €

Standaardpakket van de fabrikant

Opmerking: Vanwege de waardetoevoegende diensten van DigiKey kan het verpakkingstype veranderen als het product in hoeveelheden onder de standaardverpakking wordt gekocht.