Name: IMTA65R050M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMTA65R050M2HXTMA1TR-ND
Price: 6.8849 EUR
Availability: InStock

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

IMTA65R050M2HXTMA1
Productnummer DigiKey	448-IMTA65R050M2HXTMA1TR-ND - Tape & Reel (TR) 448-IMTA65R050M2HXTMA1CT-ND - Cut Tape (CT) 448-IMTA65R050M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Infineon Technologies
Productnummer fabrikant	IMTA65R050M2HXTMA1
Beschrijving	SILICON CARBIDE MOSFET
Standaard levertijd fabrikant	23 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal 650 V 43 A (Tc) 197W (Tc)
Gegevensblad	Gegevensblad
EDA/CAD-modellen	IMTA65R050M2HXTMA1 Modellen

Productkenmerken

Type	Beschrijving	Alles selecteren
Categorie	Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's
Fabr.	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™
Verpakking	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Status onderdeel	Actief
FET-type	N-kanaal
Technologie	SiCFET (siliciumcarbide)
Spanning ontlading-bron (Vdss)	650 V
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C	43 A (Tc)
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On)	15V, 20V
Rds aan (max.) bij Id, Vgs	46mOhm @ 18,2A, 20V
Vgs(th) (max.) bij Id	5,6V @ 3,7mA
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs	22 nC @ 18 V
Vgs (max.)	+23V, -7V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds	790 pF @ 400 V
FET-kenmerk	-
Vermogensdissipatie (max.)	197W (Tc)
Bedrijfstemperatuur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Soort	-
Kwalificatie	-
Type montage	-
Apparaatpakket leverancier	-
Verpakking / doos	-