Name: IMDQ75R007M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMDQ75R007M2HXTMA1TR-ND
Price: 33.0935 EUR
Availability: OutOfStock

N-kanaal 840 V 222 A (Tc) 789W (Tc) Opbouwmontage PG-HDSOP-22

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

IMDQ75R007M2HXTMA1
Productnummer DigiKey	448-IMDQ75R007M2HXTMA1TR-ND - Tape & Reel (TR) 448-IMDQ75R007M2HXTMA1CT-ND - Cut Tape (CT) 448-IMDQ75R007M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Infineon Technologies
Productnummer fabrikant	IMDQ75R007M2HXTMA1
Beschrijving	IMDQ75R007M2HXTMA1
Standaard levertijd fabrikant	61 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal 840 V 222 A (Tc) 789W (Tc) Opbouwmontage PG-HDSOP-22
Gegevensblad	Gegevensblad
EDA/CAD-modellen	IMDQ75R007M2HXTMA1 Modellen

Productkenmerken

Filter vergelijkbare producten

Toon lege attributen

Categorie Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's	Rds aan (max.) bij Id, Vgs 6,1mOhm @ 131,5A, 20V
Fabr. Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) bij Id 5,6V @ 28,9mA
Serie CoolSiC™	Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs 171 nC @ 18 V
Verpakking Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) +23V, -7V
Status onderdeel Actief	Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds 5922 pF @ 500 V
FET-type N-kanaal	Vermogensdissipatie (max.) 789W (Tc)
Technologie SiCFET (siliciumcarbide)	Bedrijfstemperatuur -55°C ~ 175°C (TJ)
Spanning ontlading-bron (Vdss) 840 V	Type montage Opbouwmontage
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C 222 A (Tc)	Apparaatpakket leverancier PG-HDSOP-22
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On) 15V, 20V	Verpakking / doos 22-PowerBSOP-module