Name: IMCQ120R017M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMCQ120R017M2HXTMA1TR-ND
Price: 20.0739 EUR
Availability: InStock

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

IMCQ120R017M2HXTMA1
Productnummer DigiKey	448-IMCQ120R017M2HXTMA1TR-ND - Tape & Reel (TR) 448-IMCQ120R017M2HXTMA1CT-ND - Cut Tape (CT) 448-IMCQ120R017M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Infineon Technologies
Productnummer fabrikant	IMCQ120R017M2HXTMA1
Beschrijving	SICFET N-CH 1200V 118A 22PWRBSOP
Standaard levertijd fabrikant	39 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal 1200 V 118A (Tc) 580W (Tc) Opbouwmontage PG-HDSOP-22
Gegevensblad	Gegevensblad
EDA/CAD-modellen	IMCQ120R017M2HXTMA1 Modellen

Productkenmerken

Filter vergelijkbare producten

Toon lege attributen

Categorie Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's	Rds aan (max.) bij Id, Vgs 17,1mOhm @ 40A, 18V
Fabr. Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) bij Id 5,1V @ 12,7mA
Serie CoolSiC™ G2	Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs 91.1 nC @ 18 V
Verpakking Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) +23V, -7V
Status onderdeel Actief	Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds 3730 pF @ 800 V
FET-type N-kanaal	Vermogensdissipatie (max.) 580W (Tc)
Technologie SiCFET (siliciumcarbide)	Bedrijfstemperatuur -55°C ~ 175°C (TJ)
Spanning ontlading-bron (Vdss) 1200 V	Type montage Opbouwmontage
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C 118A (Tc)	Apparaatpakket leverancier PG-HDSOP-22
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On) 15V, 18V	Verpakking / doos 22-PowerBSOP-module