Name: IGLD65R080D2AUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGLD65R080D2AUMA1TR-ND
Price: 5.9411 EUR
Availability: InStock

Hulp nodig?

Feedback sturen

Over DigiKey Marketplace Verkopen op DigiKey.com Carrière Sitemap Digitale oplossingen Newsroom

Hulp en Assistentie Bestelstatus Verzendkosten/-opties Retourzendingen en problemen met bestellingen

(+32) 53 33 80 45 eu.support@digikey.com

IGLD65R080D2AUMA1
Productnummer DigiKey	448-IGLD65R080D2AUMA1TR-ND - Tape & Reel (TR) 448-IGLD65R080D2AUMA1CT-ND - Cut Tape (CT) 448-IGLD65R080D2AUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Infineon Technologies
Productnummer fabrikant	IGLD65R080D2AUMA1
Beschrijving	HV GAN DISCRETES
Standaard levertijd fabrikant	26 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal 650 V 18 A (Tc) 68W (Tc) Opbouwmontage PG-LSON-8-2
Gegevensblad	Gegevensblad
EDA/CAD-modellen	IGLD65R080D2AUMA1 Modellen

Type	Beschrijving	Alles selecteren
Categorie	Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's
Fabr.	Infineon Technologies
Serie	CoolGaN™ G5
Verpakking	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Status onderdeel	Actief
FET-type	N-kanaal
Technologie	GaNFET (galliumnitride)
Spanning ontlading-bron (Vdss)	650 V
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C	18 A (Tc)
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On)	-
Rds aan (max.) bij Id, Vgs	-
Vgs(th) (max.) bij Id	1,6V @ 1,8mA
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs	3.3 nC @ 3 V
Vgs (max.)	-10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds	240 pF @ 400 V
FET-kenmerk	-
Vermogensdissipatie (max.)	68W (Tc)
Bedrijfstemperatuur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Soort	-
Kwalificatie	-
Type montage	Opbouwmontage
Apparaatpakket leverancier	PG-LSON-8-2
Verpakking / doos	8-LDFN blootliggende pad

Eenheidsprijs zonder BTW:	4,91000 €
Eenheidsprijs met BTW:	5,94110 €

IGLD65R080D2AUMA1