Name: IGLD65R080D2AUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGLD65R080D2AUMA1TR-ND
Price: 6.2557 EUR
Availability: InStock

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

IGLD65R080D2AUMA1
Productnummer DigiKey	448-IGLD65R080D2AUMA1TR-ND - Tape & Reel (TR) 448-IGLD65R080D2AUMA1CT-ND - Cut Tape (CT) 448-IGLD65R080D2AUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Infineon Technologies
Productnummer fabrikant	IGLD65R080D2AUMA1
Beschrijving	GANFET N-CH 650V 18A 8LDFN
Standaard levertijd fabrikant	27 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal 650 V 18 A (Tc) 68W (Tc) Opbouwmontage PG-LSON-8-2
Gegevensblad	Gegevensblad
EDA/CAD-modellen	IGLD65R080D2AUMA1 Modellen

Productkenmerken

Filter vergelijkbare producten

Toon lege attributen

Categorie Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's	Vgs(th) (max.) bij Id 1,6V @ 1,8mA
Fabr. Infineon Technologies	Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs 3.3 nC @ 3 V
Serie CoolGaN™ G5	Vgs (max.) -10V
Verpakking Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds 240 pF @ 400 V
Status onderdeel Actief	Vermogensdissipatie (max.) 68W (Tc)
FET-type N-kanaal	Bedrijfstemperatuur -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie GaNFET (galliumnitride)	Type montage Opbouwmontage
Spanning ontlading-bron (Vdss) 650 V	Apparaatpakket leverancier PG-LSON-8-2
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C 18 A (Tc)	Verpakking / doos 8-LDFN blootliggende pad
Rds aan (max.) bij Id, Vgs 100mOhm @ 5,5A