Name: IAUCN08S7L013ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUCN08S7L013ATMA1TR-ND
Price: 4.4649 EUR
Availability: InStock

Nieuw product

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

IAUCN08S7L013ATMA1
Productnummer DigiKey	448-IAUCN08S7L013ATMA1TR-ND - Tape & Reel (TR) 448-IAUCN08S7L013ATMA1CT-ND - Cut Tape (CT) 448-IAUCN08S7L013ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Infineon Technologies
Productnummer fabrikant	IAUCN08S7L013ATMA1
Beschrijving	MOSFET_(75V 120V(
Standaard levertijd fabrikant	26 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal 80 V 293A (Tj) 219W (Tc) Opbouwmontage PG-TDSON-8-53
Gegevensblad	Gegevensblad

Productkenmerken

Type	Beschrijving	Alles selecteren
Categorie	Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's
Fabr.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 7
Verpakking	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Status onderdeel	Actief
FET-type	N-kanaal
Technologie	MOSFET (metaaloxide)
Spanning ontlading-bron (Vdss)	80 V
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C	293A (Tj)
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds aan (max.) bij Id, Vgs	1,26mOhm @ 88A, 10V
Vgs(th) (max.) bij Id	2V @ 131µA
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs	156 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±16V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds	9554 pF @ 40 V
FET-kenmerk	-
Vermogensdissipatie (max.)	219W (Tc)
Bedrijfstemperatuur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Soort	Automotive
Kwalificatie	AEC-Q101
Type montage	Opbouwmontage
Apparaatpakket leverancier	PG-TDSON-8-53
Verpakking / doos	8-PowerTDFN