Name: BSZ086P03NS3EGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ086P03NS3EGATMA1TR-ND
Price: 1.3915 EUR
Availability: OutOfStock

BSZ086P03NS3EGATMA1 is niet op voorraad en kan nabesteld worden.

Beschikbare alternatieven:

Similar

onsemi

Op voorraad: 5.013

Eenheidsprijs : 1,78000 €

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

BSZ086P03NS3EGATMA1
Productnummer DigiKey	BSZ086P03NS3EGATMA1TR-ND - Tape & Reel (TR) BSZ086P03NS3EGATMA1CT-ND - Cut Tape (CT) BSZ086P03NS3EGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Infineon Technologies
Productnummer fabrikant	BSZ086P03NS3EGATMA1
Beschrijving	MOSFET P-CH 30V 13.5A/40A TSDSON
Standaard levertijd fabrikant	61 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	P-kanaal 30 V 13,5 A (Ta), 40 A (Tc) 2,1W (Ta), 69W (Tc) Opbouwmontage PG-TSDSON-8
Gegevensblad	Gegevensblad
EDA/CAD-modellen	BSZ086P03NS3EGATMA1 Modellen

Productkenmerken

Filter vergelijkbare producten

Toon lege attributen

Categorie Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's	Vgs(th) (max.) bij Id 3,1V @ 105µA
Fabr. Infineon Technologies	Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs 57.5 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (max.) ±25V
Verpakking Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds 4785 pF @ 15 V
Status onderdeel Actief	Vermogensdissipatie (max.) 2,1W (Ta), 69W (Tc)
FET-type P-kanaal	Bedrijfstemperatuur -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (metaaloxide)	Type montage Opbouwmontage
Spanning ontlading-bron (Vdss) 30 V	Apparaatpakket leverancier PG-TSDSON-8
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C 13,5 A (Ta), 40 A (Tc)	Verpakking / doos 8-PowerTDFN
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V	Basisproductnummer BSZ086
Rds aan (max.) bij Id, Vgs 8,6mOhm @ 20A, 10V