Name: BSZ0500NSIATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-BSZ0500NSIATMA1TR-ND
Price: 2.2869 EUR
Availability: OutOfStock

BSZ0500NSIATMA1 is niet op voorraad en kan nabesteld worden.

Beschikbare alternatieven:

Similar

Diodes Incorporated

Op voorraad: 353

Eenheidsprijs : 1,65000 €

Similar

Rohm Semiconductor

Op voorraad: 750

Eenheidsprijs : 2,24000 €

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

BSZ0500NSIATMA1
Productnummer DigiKey	448-BSZ0500NSIATMA1TR-ND - Tape & Reel (TR) 448-BSZ0500NSIATMA1CT-ND - Cut Tape (CT) 448-BSZ0500NSIATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Infineon Technologies
Productnummer fabrikant	BSZ0500NSIATMA1
Beschrijving	MOSFET N-CH 30V 30A/40A TSDSON
Standaard levertijd fabrikant	61 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal 30 V 30 A (Ta), 40 A (Tc) 2,1W (Ta), 69W (Tc) Opbouwmontage PG-TSDSON-8-FL
Gegevensblad	Gegevensblad
EDA/CAD-modellen	BSZ0500NSIATMA1 Modellen

Productkenmerken

Filter vergelijkbare producten

Toon lege attributen

Categorie Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's	Vgs(th) (max.) bij Id 2V @ 250µA
Fabr. Infineon Technologies	Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs 52 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (max.) ±20V
Verpakking Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds 3400 pF @ 15 V
Status onderdeel Actief	Vermogensdissipatie (max.) 2,1W (Ta), 69W (Tc)
FET-type N-kanaal	Bedrijfstemperatuur -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (metaaloxide)	Type montage Opbouwmontage
Spanning ontlading-bron (Vdss) 30 V	Apparaatpakket leverancier PG-TSDSON-8-FL
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C 30 A (Ta), 40 A (Tc)	Verpakking / doos 8-PowerTDFN
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V	Basisproductnummer BSZ0500
Rds aan (max.) bij Id, Vgs 1,5mOhm @ 20A, 10V