Name: AIMBG120R020M1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-AIMBG120R020M1XTMA1TR-ND
Price: 22.6391 EUR
Availability: InStock

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

AIMBG120R020M1XTMA1
Productnummer DigiKey	448-AIMBG120R020M1XTMA1TR-ND - Tape & Reel (TR) 448-AIMBG120R020M1XTMA1CT-ND - Cut Tape (CT) 448-AIMBG120R020M1XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Infineon Technologies
Productnummer fabrikant	AIMBG120R020M1XTMA1
Beschrijving	SICFET N-CH 1200V 104A TO-263
Standaard levertijd fabrikant	26 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal 1200 V 104 A (Tc) 468W (Tc) Opbouwmontage PG-TO263-7-12
Gegevensblad	Gegevensblad
EDA/CAD-modellen	AIMBG120R020M1XTMA1 Modellen

Productkenmerken

Type	Beschrijving	Alles selecteren
Categorie	Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's
Fabr.	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™
Verpakking	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Status onderdeel	Actief
FET-type	N-kanaal
Technologie	SiCFET (siliciumcarbide)
Spanning ontlading-bron (Vdss)	1200 V
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C	104 A (Tc)
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On)	18V, 20V
Rds aan (max.) bij Id, Vgs	25mOhm @ 43A, 20V
Vgs(th) (max.) bij Id	5,1V @ 15mA
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs	82 nC @ 20 V
Vgs (max.)	+23V, -5V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds	2667 pF @ 800 V
FET-kenmerk	-
Vermogensdissipatie (max.)	468W (Tc)
Bedrijfstemperatuur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Soort	Automotive
Kwalificatie	AEC-Q101
Type montage	Opbouwmontage
Apparaatpakket leverancier	PG-TO263-7-12
Verpakking / doos	TO-263-8, D2PAK (7 leads + tab), TO-263CA
Basisproductnummer	AIMBG120