Vishay / Siliconix

MaxSiC™ MOSFET

Vishay MOSFET's maken hogere prestaties en superieure efficiëntie mogelijk voor toepassingen met hoog vermogen

Afbeelding van Vishay Siliconix MaxSiC™ MOSFETVishay MaxSiCTM siliciumcarbide (SiC) MOSFET's zijn uitgerust met een gepatenteerde technologie die een efficiënte afweging van zowel aan-weerstand als schakelprestaties combineert en tegelijkertijd een robuust apparaat levert met een kleine parasitaire capaciteit, verbeterde kortsluitvastheid (SCWT), verhoogde immuniteit tegen doorschieten en een concurrerend elektrisch veld van gate-oxide.

Deze SiC MOSFET's bieden een concurrerend prestatiegetal om te voldoen aan de marktvraag in groeiende toepassingen zoals industriële inverters voor motoraandrijving, fotovoltaïsche (PV) energieomzetting en opslagsystemen, boordladers, laadstations, servers (datacenters) en ononderbreekbare voedingen (UPS).

Functionaliteiten
  • Snelle schakelsnelheid
  • 3 μs kortsluitvastheid
  • 1.200 V drain-bronspanning
  • 139 W maximale vermogensdissipatie (TC=25 °C)
  • 29 A continue afvoerstroom (TC=25 °C)
  • -55 °C tot 150 °C temperatuurbereik van werkende junctie
  • Loodvrij en halogeenvrij
  • Verkrijgbaar in een TO-247 3L-verpakking
  • RoHS-conform
Toepassingen
  • Opladers
  • Aandrijvingen voor hulpmotors
  • DC/DC-convertors

MaxSiC MOSFETs

AfbeeldingOnderdeelnr. fabrikantBeschrijvingAvailable QuantityPrijsDetails weergeven
SILICON CARBIDE MOSFETMXP120A250FW-GE3SILICON CARBIDE MOSFET0 - Immediate$3.05Details weergeven
SILICON CARBIDE MOSFETMXP120A250FL-GE3SILICON CARBIDE MOSFET0 - Immediate$3.65Details weergeven
SILICON CARBIDE MOSFETMXP120A080FW-GE3SILICON CARBIDE MOSFET494 - Immediate$8.79Details weergeven
SILICON CARBIDE MOSFETMXP120A080FL-GE3SILICON CARBIDE MOSFET0 - Immediate$5.80Details weergeven
SILICON CARBIDE MOSFETMXP120A045FW-GE3SILICON CARBIDE MOSFET0 - Immediate$11.40Details weergeven
SILICON CARBIDE MOSFETMXP120A045FL-GE3SILICON CARBIDE MOSFET0 - Immediate$11.74Details weergeven
Published: 2024-09-03

Related Articles and Blogs

Reduce Losses in High-Voltage Switched-Mode Power Systems with Silicon Carbide MOSFETs Designers can take advantage of silicon carbide (SiC) technology’s core attributes and recent enhancements to increase efficiency and power density.