Gen 3 1.200 V SiC Schottky-diodes

De 16 Gen 3 1.200 V siliciumcarbide Schottky-diodes van Vishay hebben een merged PIN Schottky-ontwerp (MPS). Ze combineren een hoge robuustheid van de piekstroom met een lage voorwaartse spanningsval, capacitieve lading en omgekeerde lekstroom om de efficiëntie en betrouwbaarheid in ontwerpen voor schakelvermogen te verhogen. De MPS-structuur van de diodes, met een achterkant die verdund is met behulp van lasergloeiingstechnologie, vermindert hun spanningsval. De lage typische omgekeerde lekstroom van de apparaten vermindert geleidingsverliezen en zorgt voor een hoge systeemefficiëntie tijdens lichte belastingen en stationair draaien. Om de efficiëntie nog verder te verbeteren, hebben de Gen 3-diodes vrijwel geen herstelstaart, in tegenstelling tot ultrasnelle diodes.

Deze diodes bieden AC/DC PFC en DC/DC ultrahoge frequentie uitgangsgelijkrichting in FBPS- en LLC-convertors voor toepassingen zoals inverters voor zonne-energie, energieopslagsystemen, industriële aandrijvingen en gereedschappen en datacenters.