STGAP2SiCS galvanisch geïsoleerde single gatedriver voor SiC MOSFET's

STMicroelectronics' STGAP2SiCS is een hoogspannings (tot 1200 V) gate driver vervaardigd met BCD6's technologie. Het is opgenomen in een galvanische scheiding van 6 kV tussen het stuurkanaal van de poort en de laagspanningsregel- en interfaceschakelingen. Het maakt deel uit van de galvanisch geïsoleerde familie van 6 kV in een compact pakket. De output van het apparaat kan tot 4 A zinken en genereren. Voorkomen van kruisgeleiding wordt verzekerd door een vergrendelingsfunctie. Het apparaat heeft speciale ingangspinnen voor elke uitgang. De logische ingangen zijn CMOS/TTL-compatibel tot 3,3 V voor eenvoudige interfacing met besturingsapparatuur. Vertragingsafstemming tussen de lage- en hoge-zijsectie garandeert geen vervorming van de cyclus en maakt hoogfrequente werking mogelijk. De STGAP2SiCS is verkrijgbaar in twee verschillende configuraties. De configuratie met gescheiden uitgangspinnen stelt gebruikers in staat om de in- en uitschakeling onafhankelijk te optimaliseren met behulp van speciale poortweerstanden. De configuratie met een enkele uitgangspin en Miller CLAMP-functie voorkomt poortpieken bij snelle commutaties in halfbrugstopologieën.