STGAP2GS/STGAP2GSN eenkanaals gatedrivers

De STGAP2GS en STGAP2GSN van STMicroelectronics zijn galvanisch geïsoleerde eenkanaals gatedrivers voor versterkingsmodus GaN-vermogenstransistors in SO8 brede en SO8 standaardpakketten. Ze bieden de geschikte geïsoleerde driver voor GaN in een kleine voetafdruk en maken gebruik van de nieuwste galvanische isolatietechnologie. De gatedriver wordt gekenmerkt door een stroomcapaciteit van 2 A source en 3 A sink en rail-to-rail uitgangen, waardoor het apparaat geschikt is voor midden- en hoogvermogen toepassingen zoals stroomomzetting en motordriverinverters in industriële toepassingen.

De dV/dt transiënte immuniteit bedraagt ±100 V/ns in het volledige temperatuurbereik, hetgeen een opmerkelijke robuustheid tegen spanningstransiënten garandeert. Het apparaat is beschikbaar in afzonderlijke sink- en source-configuratie-opties voor eenvoudige gate-driven om onafhankelijke turn-on en turn-off te optimaliseren met behulp van onafhankelijke weerstanden.

Het apparaat integreert beveiligingsfuncties, waaronder thermische uitschakeling, die de uitgang van de driver laag schakelt wanneer de junctietemperatuur een ingestelde drempel bereikt, en UVLO met een geoptimaliseerd niveau voor versterkingsmodus GaN FET's, wat een eenvoudig ontwerp voor hoog rendement en betrouwbare systemen mogelijk maakt. Dubbele ingangspinnen maken de selectie van signaalpolariteitscontrole en implementatie van HW-interlockingbescherming mogelijk om crossconductie te voorkomen.

De propagatievertraging van ingang naar uitgang is minder dan 45 ns, waardoor een hoge nauwkeurigheid van de PWM-regeling mogelijk is. Er is een standby-modus beschikbaar om het stroomverbruik bij stilstand te verminderen. De CMOS/TTL-compatibele logische ingangen tot 3,3 V zorgen voor een ongecompliceerde interface met microcontrollers en DSP-randapparatuur.