RA1C030LDT5CL CSP-MOSFET met ultralage ON-weerstand (grootte 1006)

ROHM's RA1C030LD wordt aangeboden in het DSN1006-3 wafer-level, chip-formaat pakket (1,0 mm x 0,6 mm) dat gebruik maakt van ROHM's gepatenteerde IC-proces om lage vermogensdissipatie te bereiken samen met een grotere miniaturisatie. In termen van het cijfer van verdienste dat de relatie tussen geleidings- en schakelverliezen (ON-weerstand × Q_gd) uitdrukt, is een toonaangevende waarde bereikt die 20% lager is dan die van standaardproducten in dezelfde verpakking (1,0 mm x 0,6 mm of kleiner), wat bijdraagt tot een aanzienlijk kleiner printplaatoppervlak in combinatie met een hoger rendement in een verscheidenheid van compacte apparaten. Tegelijkertijd biedt de unieke verpakkingsstructuur van ROHM een geïsoleerde bescherming voor de zijwanden (in tegenstelling tot standaardproducten in dezelfde verpakking zonder bescherming). Dit vermindert het risico van kortsluiting als gevolg van contact tussen componenten in compacte apparaten die vanwege ruimtebeperkingen moeten worden gemonteerd met een hoge dichtheid, wat bijdraagt tot een veiligere werking.