
C3M0120065J | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 1697-C3M0120065J-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | C3M0120065J |
Description | 650V 120M SIC MOSFET |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 650 V 21 A (Tc) 86W (Tc) Montage en surface TO-263-7 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | C3M0120065J Modèles |
Catégorie | Rds On (max.) à Id, Vgs 157mohms à 6,76A, 15V |
Fabricant | Vgs(th) (max.) à Id 3,6V à 1,86mA |
Série | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 26 nC @ 15 V |
Conditionnement Tube | Vgs (max.) +19V, -8V |
Statut du composant Obsolète | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 640 pF @ 400 V |
Type de FET | Dissipation de puissance (max.) 86W (Tc) |
Technologies | Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ) |
Tension drain-source (Vdss) 650 V | Type de montage Montage en surface |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur TO-263-7 |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 15V | Boîtier |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| C3M0060065J | Wolfspeed, Inc. | 1 873 | 1697-C3M0060065J-ND | 8,19000 € | Recommandation fabricant |
| IMBG65R107M1HXTMA1 | Infineon Technologies | 784 | 448-IMBG65R107M1HXTMA1CT-ND | 5,84000 € | Similaire |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 7,87000 € | 7,87 € |
| 10 | 6,11600 € | 61,16 € |
| 50 | 5,41380 € | 270,69 € |
| 100 | 5,19660 € | 519,66 € |
| 250 | 4,96724 € | 1 241,81 € |
| 500 | 4,82896 € | 2 414,48 € |
| 1 000 | 4,71519 € | 4 715,19 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 7,87000 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 9,52270 € |

