Name: SUP60030E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SUP60030E-GE3-ND
Price: 5.1788 EUR
Availability: InStock

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SUP60030E-GE3
Numéro de produit DigiKey	SUP60030E-GE3-ND
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SUP60030E-GE3
Description	MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	55 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 80 V 120 A (Tc) 375W (Tc) Trou traversant TO-220AB
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SUP60030E-GE3 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Fabricant Vishay Siliconix	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 141 nC @ 10 V
Série TrenchFET®	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement En vrac	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 7910 pF @ 40 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 375W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Trou traversant
Tension drain-source (Vdss) 80 V	Boîtier fournisseur TO-220AB
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 120 A (Tc)	Boîtier TO-220-3
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 7,5V, 10V	Numéro de produit de base SUP60030
Rds On (max.) à Id, Vgs 3,4mohms à 30A, 10V

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Documents et supports

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Prix unitaire sans TVA:	4,28000 €
Prix unitaire avec TVA:	5,17880 €

SUP60030E-GE3