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SUP50020E-GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SUP50020E-GE3-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SUP50020E-GE3 |
Description | MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 55 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 60 V 120 A (Tc) 375W (Tc) Trou traversant TO-220AB |
Fiche technique | Fiche technique |
Catégorie | Rds On (max.) à Id, Vgs 2,4mohms à 30A, 10V |
Fabricant | Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA |
Série | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 128 nC @ 10 V |
Conditionnement Tube | Vgs (max.) ±20V |
Statut du composant Actif | Dissipation de puissance (max.) 375W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Trou traversant |
Tension drain-source (Vdss) 60 V | Boîtier fournisseur TO-220AB |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 7,5V, 10V | Numéro de produit de base |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| FDP023N08B-F102 | onsemi | 148 | FDP023N08B-F102OS-ND | 4,16000 € | Similaire |
| TK100E06N1,S1X | Toshiba Semiconductor and Storage | 43 | TK100E06N1S1X-ND | 3,69000 € | Similaire |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 3,56000 € | 3,56 € |
| 50 | 1,81020 € | 90,51 € |
| 100 | 1,64050 € | 164,05 € |
| 500 | 1,34320 € | 671,60 € |
| 1 000 | 1,24771 € | 1 247,71 € |
| 2 000 | 1,16746 € | 2 334,92 € |
| 5 000 | 1,11868 € | 5 593,40 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 3,56000 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 4,30760 € |



