SUM90N10-8M2P-E3 Vishay Siliconix | Produits semi-conducteurs discrets

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SUM90N10-8M2P-E3
Numéro de produit DigiKey	SUM90N10-8M2P-E3TR-ND - Bande et bobine SUM90N10-8M2P-E3CT-ND - Bande coupée (CT) SUM90N10-8M2P-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SUM90N10-8M2P-E3
Description	MOSFET N-CH 100V 90A TO263
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 90 A (Tc) 3,75W (Ta), 300W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SUM90N10-8M2P-E3 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Vishay Siliconix
Série	TrenchFET®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	90 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	8,2mohms à 20A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	150 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	6290 pF @ 50 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	3,75W (Ta), 300W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	TO-263 (D2PAK)
Boîtier	TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Numéro de produit de base	SUM90