Name: SQRS140ELP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQRS140ELP-T1_GE3TR-ND
Price: 3.5211 EUR
Availability: InStock

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SQRS140ELP-T1_GE3
Numéro de produit DigiKey	742-SQRS140ELP-T1_GE3TR-ND - Bande et bobine 742-SQRS140ELP-T1_GE3CT-ND - Bande coupée (CT) 742-SQRS140ELP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SQRS140ELP-T1_GE3
Description	AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	32 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 40 V 504A (Tc) 266W (Tc) Montage en surface PowerPAK® SO-8SW
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SQRS140ELP-T1_GE3 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Vishay Siliconix
Série	TrenchFET® GenIV
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	40 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	504A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	0,6mohm à 15A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,2V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	294 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	15398 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	266W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PowerPAK® SO-8SW
Boîtier	PowerPAK® SO-8