Name: SQJQ410EL-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJQ410EL-T1_GE3TR-ND
Price: 4.1866 EUR
Availability: InStock

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SQJQ410EL-T1_GE3
cms-digikey-product-number	SQJQ410EL-T1_GE3TR-ND - Bande et bobine SQJQ410EL-T1_GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SQJQ410EL-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
cms-manufacturer	Vishay Siliconix
cms-manufacturer-product-number	SQJQ410EL-T1_GE3
cms-description	MOSFET N-CH 100V 135A PPAK 8 X 8
cms-standard-lead-time	32 semaines
cms-customer-reference
cms-detailed-description	Canal N 100 V 135 A (Tc) 136W (Tc) Montage en surface PowerPAK® 8 x 8
Fiche technique	Fiche technique
cms-eda-cad-models	SQJQ410EL-T1_GE3 Modèles

cms-type	cms-description	cms-select-all
cms-category	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Vishay Siliconix
Série	TrenchFET®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	135 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	3,4mohms à 20A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	150 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	7350 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	136W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PowerPAK® 8 x 8
Boîtier	PowerPAK® 8 x 8
Numéro de produit de base	SQJQ410

Prix unitaire sans TVA:	3,46000 €
Prix unitaire avec TVA:	4,18660 €

SQJQ410EL-T1_GE3