Name: SQJ958EP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJ958EP-T1_GE3TR-ND
Price: 1.815 EUR
Availability: InStock

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SQJ958EP-T1_GE3
Numéro de produit DigiKey	SQJ958EP-T1_GE3TR-ND - Bande et bobine SQJ958EP-T1_GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SQJ958EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SQJ958EP-T1_GE3
Description	MOSFET 2N-CH 60V 20A PPAK SO8
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	20 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 60V 20 A (Tc) 35W Montage en surface powerPAK® SO-8 double
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 23nC à 10V
Fabricant Vishay Siliconix	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1075pF à 30V
Série TrenchFET®	Puissance - Max. 35W
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Statut du composant Actif	Grade Automobile
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Qualification AEC-Q101
Configuration 2 canaux N (double)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 60V	Boîtier powerPAK® SO-8 double
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 20 A (Tc)	Boîtier fournisseur powerPAK® SO-8 double
Rds On (max.) à Id, Vgs 34,9mohms à 4,5A, 10V	Numéro de produit de base SQJ958
Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 250µA

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Quantité

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Bande coupée (CT) & Digi-Reel®

* Toutes les commandes Digi-Reel entraînent des frais de bobinage de 5,50 €.

Bande et bobine

Conditionnement standard du fabricant

Prix unitaire sans TVA:	1,50000 €
Prix unitaire avec TVA:	1,81500 €

SQJ958EP-T1_GE3