
SISS61DN-T1-GE3 | |
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Numéro de produit DigiKey | SISS61DN-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SISS61DN-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SISS61DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SISS61DN-T1-GE3 |
Description | MOSFET P-CH 20V 30.9/111.9A PPAK |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 22 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal P 20 V 30,9A (Ta), 111,9A (Tc) 5W (Ta), 65,8W (Tc) Montage en surface PowerPAK® 1212-8S |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SISS61DN-T1-GE3 Modèles |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 900mV à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 231 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±8V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 8740 pF @ 10 V |
Statut du composant Actif | Dissipation de puissance (max.) 5W (Ta), 65,8W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 20 V | Boîtier fournisseur PowerPAK® 1212-8S |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 1,8V, 4,5V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 3,5mohms à 15A, 4,5V |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 1,56000 € | 1,56 € |
| 10 | 0,98800 € | 9,88 € |
| 100 | 0,66130 € | 66,13 € |
| 500 | 0,52134 € | 260,67 € |
| 1 000 | 0,47632 € | 476,32 € |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,41916 € | 1 257,48 € |
| 6 000 | 0,39040 € | 2 342,40 € |
| 9 000 | 0,37575 € | 3 381,75 € |
| 15 000 | 0,35930 € | 5 389,50 € |
| 21 000 | 0,35885 € | 7 535,85 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 1,56000 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 1,88760 € |


