
SISS23DN-T1-GE3 | |
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Numéro de produit DigiKey | SISS23DN-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SISS23DN-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SISS23DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SISS23DN-T1-GE3 |
Description | MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 38 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal P 20 V 50 A (Tc) 4,8W (Ta), 57W (Tc) Montage en surface PowerPAK® 1212-8S |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SISS23DN-T1-GE3 Modèles |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 900mV à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 300 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±8V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 8840 pF @ 15 V |
Statut du composant Actif | Dissipation de puissance (max.) 4,8W (Ta), 57W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -50°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 20 V | Boîtier fournisseur PowerPAK® 1212-8S |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 1,8V, 4,5V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 4,5mohm à 20A, 4,5V |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 1,36000 € | 1,36 € |
| 10 | 0,86100 € | 8,61 € |
| 100 | 0,57290 € | 57,29 € |
| 500 | 0,44922 € | 224,61 € |
| 1 000 | 0,40941 € | 409,41 € |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,35885 € | 1 076,55 € |
| 6 000 | 0,33341 € | 2 000,46 € |
| 9 000 | 0,32045 € | 2 884,05 € |
| 15 000 | 0,30589 € | 4 588,35 € |
| 21 000 | 0,29948 € | 6 289,08 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 1,36000 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 1,64560 € |











