Name: SISS05DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SISS05DN-T1-GE3TR-ND
Price: 2.2748 EUR
Availability: OutOfStock

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SISS05DN-T1-GE3
Numéro de produit DigiKey	SISS05DN-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SISS05DN-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SISS05DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SISS05DN-T1-GE3
Description	MOSFET P-CH 30V 29.4A/108A PPAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	55 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 30 V 29,4A (Ta), 108A (Tc) 5W (Ta), 65,7W (Tc) Montage en surface PowerPAK® 1212-8S
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SISS05DN-T1-GE3 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 2,2V à 250µA
Fabricant Vishay Siliconix	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 115 nC @ 10 V
Série TrenchFET® Gen IV	Vgs (max.) +16V, -20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 4930 pF @ 15 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 5W (Ta), 65,7W (Tc)
Type de FET Canal P	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 30 V	Boîtier fournisseur PowerPAK® 1212-8S
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 29,4A (Ta), 108A (Tc)	Boîtier PowerPAK® 1212-8S
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Numéro de produit de base SISS05
Rds On (max.) à Id, Vgs 3,5mohms à 10A, 10V