MOSFET - Matrices 30V 30A (Ta), 108A (Tc) 5,2W (Ta), 69,4W (Tc) Montage en surface powerPAK® 1212-8SCD
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SISF04DN-T1-GE3

Numéro de produit DigiKey
742-SISF04DN-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine
742-SISF04DN-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT)
742-SISF04DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
SISF04DN-T1-GE3
Description
MOSFET 2N-CH 30V 30A PWRPAK1212
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
55 semaines
Référence client
Description détaillée
MOSFET - Matrices 30V 30A (Ta), 108A (Tc) 5,2W (Ta), 69,4W (Tc) Montage en surface powerPAK® 1212-8SCD
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
SISF04DN-T1-GE3 Modèles
Attributs du produit
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Catégorie
Vgs(th) (max.) à Id
2,3V à 250µA
Fabricant
Vishay Siliconix
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
60nC à 10V
Série
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
2600pF à 15V
Conditionnement
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Puissance - Max.
5,2W (Ta), 69,4W (Tc)
Statut du composant
Actif
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Type de montage
Montage en surface
Configuration
2 à canal N (double), drain commun
Boîtier
powerPAK® 1212-8SCD
Tension drain-source (Vdss)
30V
Boîtier fournisseur
powerPAK® 1212-8SCD
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
30A (Ta), 108A (Tc)
Numéro de produit de base
Rds On (max.) à Id, Vgs
4mohms à 7A, 10V
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
En stock: 6 679
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Tous les prix sont en EUR
Bande coupée (CT) & Digi-Reel®
Quantité Prix unitaire Prix total
11,85000 €1,85 €
101,18200 €11,82 €
1000,79890 €79,89 €
5000,63472 €317,36 €
1 0000,58194 €581,94 €
* Toutes les commandes Digi-Reel entraînent des frais de bobinage de 5,50 €.
Bande et bobine
Quantité Prix unitaire Prix total
3 0000,51493 €1 544,79 €
6 0000,48121 €2 887,26 €
9 0000,46405 €4 176,45 €
15 0000,45609 €6 841,35 €
Conditionnement standard du fabricant
Prix unitaire sans TVA:1,85000 €
Prix unitaire avec TVA:2,23850 €