Name: SIS903DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIS903DN-T1-GE3TR-ND
Price: 1.573 EUR
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

SIS903DN-T1-GE3
Numéro de produit DigiKey	SIS903DN-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SIS903DN-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SIS903DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SIS903DN-T1-GE3
Description	MOSFET 2P-CH 20V 6A PPAK 1212
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	27 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 20V 6 A (Tc) 2,6W (Ta), 23W (Tc) Montage en surface powerPAK® 1212-8 double
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SIS903DN-T1-GE3 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET
Fabricant	Vishay Siliconix
Série	TrenchFET® Gen III
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Configuration	2 canaux P (double)
Fonction FET	-
Tension drain-source (Vdss)	20V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	6 A (Tc)
Rds On (max.) à Id, Vgs	20,1mohms à 5A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id	1V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	42nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	2565pF à 10V
Puissance - Max.	2,6W (Ta), 23W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	powerPAK® 1212-8 double
Boîtier fournisseur	powerPAK® 1212-8 double
Numéro de produit de base	SIS903