Name: SIS903DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIS903DN-T1-GE3TR-ND
Price: 1.8755 EUR
Availability: InStock

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SIS903DN-T1-GE3
Numéro de produit DigiKey	SIS903DN-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SIS903DN-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SIS903DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SIS903DN-T1-GE3
Description	MOSFET 2P-CH 20V 6A PPAK 1212
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	38 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 20V 6 A (Tc) 2,6W (Ta), 23W (Tc) Montage en surface powerPAK® 1212-8 double
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SIS903DN-T1-GE3 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET	Vgs(th) (max.) à Id 1V à 250µA
Fabricant Vishay Siliconix	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 42nC à 10V
Série TrenchFET® Gen III	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2565pF à 10V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Puissance - Max. 2,6W (Ta), 23W (Tc)
Statut du composant Actif	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Configuration 2 canaux P (double)	Boîtier powerPAK® 1212-8 double
Tension drain-source (Vdss) 20V	Boîtier fournisseur powerPAK® 1212-8 double
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 6 A (Tc)	Numéro de produit de base SIS903
Rds On (max.) à Id, Vgs 20,1mohms à 5A, 4,5V

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Documents et supports

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Bande coupée (CT) & Digi-Reel®

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