Name: SIR681DP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIR681DP-T1-RE3TR-ND
Price: 3.8841 EUR
Availability: InStock

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SIR681DP-T1-RE3
Numéro de produit DigiKey	742-SIR681DP-T1-RE3TR-ND - Bande et bobine 742-SIR681DP-T1-RE3CT-ND - Bande coupée (CT) 742-SIR681DP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SIR681DP-T1-RE3
Description	MOSFET P-CH 80V 17.6A/71.9A PPAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	55 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 80 V 17,6A (Ta), 71,9A (Tc) 6,25W (Ta), 104W (Tc) Montage en surface PowerPAK® SO-8
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SIR681DP-T1-RE3 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 2,6V à 250µA
Fabricant Vishay Siliconix	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 105 nC @ 10 V
Série TrenchFET® Gen IV	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 4850 pF @ 40 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 6,25W (Ta), 104W (Tc)
Type de FET Canal P	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 80 V	Boîtier fournisseur PowerPAK® SO-8
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 17,6A (Ta), 71,9A (Tc)	Boîtier PowerPAK® SO-8
Rds On (max.) à Id, Vgs 11,2mohms à 10A, 10V	Numéro de produit de base SIR681