Name: SIJ4819DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIJ4819DP-T1-GE3TR-ND
Price: 3.3638 EUR
Availability: InStock

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SIJ4819DP-T1-GE3
Numéro de produit DigiKey	742-SIJ4819DP-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine 742-SIJ4819DP-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) 742-SIJ4819DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SIJ4819DP-T1-GE3
Description	P-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET POWE
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	55 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 80 V 11,5A (Ta), 44,4A (Tc) 5W (Ta), 73,5W (Tc) Montage en surface PowerPAK® SO-8
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SIJ4819DP-T1-GE3 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Rds On (max.) à Id, Vgs 20,7mohms à 10A, 10V
Fabricant Vishay Siliconix	Vgs(th) (max.) à Id 2,6V à 250µA
Série TrenchFET®	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 65 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 3420 pF @ 40 V
Type de FET Canal P	Dissipation de puissance (max.) 5W (Ta), 73,5W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 80 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 11,5A (Ta), 44,4A (Tc)	Boîtier fournisseur PowerPAK® SO-8
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Boîtier PowerPAK® SO-8