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SIHG32N50D-GE3 est obsolète et n'est plus fabriqué.
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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
SIHG32N50D-GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SIHG32N50D-GE3-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SIHG32N50D-GE3 |
Description | MOSFET N-CH 500V 30A TO247AC |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 500 V 30 A (Tc) 390W (Tc) Trou traversant TO-247AC |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 5V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 96 nC @ 10 V |
Conditionnement Tube | Vgs (max.) ±30V |
Statut du composant Obsolète | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2550 pF @ 100 V |
Type de FET | Dissipation de puissance (max.) 390W (Tc) |
Technologies | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tension drain-source (Vdss) 500 V | Type de montage Trou traversant |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur TO-247AC |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Boîtier |
Rds On (max.) à Id, Vgs 150mohms à 16A, 10V | Numéro de produit de base |
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Substituts (6)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| SIHG25N50E-GE3 | Vishay Siliconix | 477 | SIHG25N50E-GE3-ND | 4,37000 € | Recommandation fabricant |
| IXFH30N50P | IXYS | 0 | 238-IXFH30N50P-ND | 10,27000 € | Similaire |
| IXFH34N50P3 | IXYS | 300 | IXFH34N50P3-ND | 10,30000 € | Similaire |
| IXFH36N50P | IXYS | 0 | IXFH36N50P-ND | 11,52000 € | Similaire |
| IXTQ44N50P | IXYS | 0 | IXTQ44N50P-ND | 7,82127 € | Similaire |
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