Équivalent paramétrique
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SIHA6N65E-E3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SIHA6N65E-E3-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SIHA6N65E-E3 |
Description | MOSFET N-CHANNEL 650V 7A TO220 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 22 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 650 V 7 A (Tc) 31W (Tc) Trou traversant Boîtier complet TO-220 |
Fiche technique | Fiche technique |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 48 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±30V |
Conditionnement Tube | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1640 pF @ 100 V |
Statut du composant Actif | Dissipation de puissance (max.) 31W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Trou traversant |
Tension drain-source (Vdss) 650 V | Boîtier fournisseur Boîtier complet TO-220 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 600mohms à 3A, 10V |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| SIHA6N65E-GE3 | Vishay Siliconix | 1 992 | 742-SIHA6N65E-GE3CT-ND | 2,52000 € | Équivalent paramétrique |
| AOTF12N60 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 0 | AOTF12N60-ND | 0,78007 € | Similaire |
| IPAW60R600P7SXKSA1 | Infineon Technologies | 0 | IPAW60R600P7SXKSA1-ND | 1,06000 € | Similaire |
| IPAW70R600CEXKSA1 | Infineon Technologies | 0 | IPAW70R600CEXKSA1-ND | 0,00000 € | Similaire |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 2,52000 € | 2,52 € |
| 50 | 1,24220 € | 62,11 € |
| 100 | 1,11840 € | 111,84 € |
| 500 | 0,90132 € | 450,66 € |
| 1 000 | 0,83156 € | 831,56 € |
| 2 000 | 0,77291 € | 1 545,82 € |
| 5 000 | 0,70948 € | 3 547,40 € |
| 10 000 | 0,69692 € | 6 969,20 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 2,52000 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 3,04920 € |





