Name: SIDR626LDP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIDR626LDP-T1-RE3TR-ND
Price: 5.445 EUR
Availability: InStock

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SIDR626LDP-T1-RE3
Numéro de produit DigiKey	742-SIDR626LDP-T1-RE3TR-ND - Bande et bobine 742-SIDR626LDP-T1-RE3CT-ND - Bande coupée (CT) 742-SIDR626LDP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SIDR626LDP-T1-RE3
Description	MOSFET N-CH 60V 45.6A/2.4A PPAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	55 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 45,6A (Ta) 6,25W (Ta), 125W (Tc) Montage en surface PowerPAK® SO-8DC
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SIDR626LDP-T1-RE3 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 250µA
Fabricant Vishay Siliconix	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 135 nC @ 10 V
Série TrenchFET® Gen IV	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 5900 pF @ 30 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 6,25W (Ta), 125W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 60 V	Boîtier fournisseur PowerPAK® SO-8DC
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 45,6A (Ta)	Boîtier PowerPAK® SO-8
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Numéro de produit de base SIDR626
Rds On (max.) à Id, Vgs 1,5mohms à 20A, 10V