Name: SI7922DN-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7922DN-T1-E3TR-ND
Price: 2.7467 EUR
Availability: InStock

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SI7922DN-T1-E3
Numéro de produit DigiKey	SI7922DN-T1-E3TR-ND - Bande et bobine SI7922DN-T1-E3CT-ND - Bande coupée (CT) SI7922DN-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SI7922DN-T1-E3
Description	MOSFET 2N-CH 100V 1.8A PPAK 1212
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	38 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 100V 1,8A 1,3W Montage en surface powerPAK® 1212-8 double
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET	Rds On (max.) à Id, Vgs 195mohms à 2,5A, 10V
Fabricant Vishay Siliconix	Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 250µA
Série TrenchFET®	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 8nC à 10V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Puissance - Max. 1,3W
Statut du composant Actif	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Configuration 2 canaux N (double)	Boîtier powerPAK® 1212-8 double
Fonction FET Porte de niveau logique	Boîtier fournisseur powerPAK® 1212-8 double
Tension drain-source (Vdss) 100V	Numéro de produit de base SI7922
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 1,8A

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

Substituts (1)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
QH8K26TR	Rohm Semiconductor	1 380	QH8K26CT-ND	1,28000 €	Similaire

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Bande coupée (CT) & Digi-Reel®

* Toutes les commandes Digi-Reel entraînent des frais de bobinage de 5,50 €.

Bande et bobine

Conditionnement standard du fabricant

Prix unitaire sans TVA:	2,27000 €
Prix unitaire avec TVA:	2,74670 €

SI7922DN-T1-E3