Name: SI7212DN-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7212DN-T1-E3TR-ND
Price: 3.7389 EUR
Availability: InStock

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SI7212DN-T1-E3
Numéro de produit DigiKey	SI7212DN-T1-E3TR-ND - Bande et bobine SI7212DN-T1-E3CT-ND - Bande coupée (CT) SI7212DN-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SI7212DN-T1-E3
Description	MOSFET 2N-CH 30V 4.9A PPAK 1212
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	17 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 30V 4,9A 1,3W Montage en surface powerPAK® 1212-8 double
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET	Rds On (max.) à Id, Vgs 36mohms à 6,8A, 10V
Fabricant Vishay Siliconix	Vgs(th) (max.) à Id 1,6V à 250µA
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 11nC à 4,5V
Statut du composant Actif	Puissance - Max. 1,3W
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration 2 canaux N (double)	Type de montage Montage en surface
Fonction FET Porte de niveau logique	Boîtier powerPAK® 1212-8 double
Tension drain-source (Vdss) 30V	Boîtier fournisseur powerPAK® 1212-8 double
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 4,9A	Numéro de produit de base SI7212