SI3590DV-T1-E3 Vishay Siliconix | Produits semi-conducteurs discrets

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SI3590DV-T1-E3
Numéro de produit DigiKey	SI3590DV-T1-E3TR-ND - Bande et bobine SI3590DV-T1-E3CT-ND - Bande coupée (CT) SI3590DV-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SI3590DV-T1-E3
Description	MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 30V 2,5 A, 1,7 A 830mW Montage en surface 6-TSOP
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET
Fabricant	Vishay Siliconix
Série	TrenchFET®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Obsolète
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Configuration	Canaux N et P
Fonction FET	Porte de niveau logique
Tension drain-source (Vdss)	30V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	2,5 A, 1,7 A
Rds On (max.) à Id, Vgs	77mohms à 3A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id	1,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	4,5nC à 4,5V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	-
Puissance - Max.	830mW
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	SOT-23-6 mince, TSOT-23-6
Boîtier fournisseur	6-TSOP
Numéro de produit de base	SI3590