Name: SI3460DDV-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI3460DDV-T1-GE3TR-ND
Price: 0.7381 EUR
Availability: InStock

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SI3460DDV-T1-GE3
Numéro de produit DigiKey	SI3460DDV-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SI3460DDV-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SI3460DDV-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SI3460DDV-T1-GE3
Description	MOSFET N-CH 20V 7.9A 6TSOP
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	38 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 20 V 7,9 A (Tc) 1,7W (Ta), 2,7W (Tc) Montage en surface 6-TSOP
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SI3460DDV-T1-GE3 Modèles

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 1V à 250µA
Fabricant Vishay Siliconix	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 18 nC @ 8 V
Série TrenchFET®	Vgs (max.) ±8V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 666 pF @ 10 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 1,7W (Ta), 2,7W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 20 V	Boîtier fournisseur 6-TSOP
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 7,9 A (Tc)	Boîtier SOT-23-6 mince, TSOT-23-6
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 1,8V, 4,5V	Numéro de produit de base SI3460
Rds On (max.) à Id, Vgs 28mohms à 5,1A, 4,5V

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

Substituts (9)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
SI3460DDV-T1-BE3	Vishay Siliconix	2 563	742-SI3460DDV-T1-BE3CT-ND	0,61000 €	Direct
FDC637AN	onsemi	2 644	FDC637ANCT-ND	1,05000 €	Similaire
FDC637BNZ	onsemi	11 152	FDC637BNZCT-ND	0,64000 €	Similaire
IRLMS2002TRPBF	Infineon Technologies	1 958	IRLMS2002PBFCT-ND	0,80000 €	Similaire
QS5U33TR	Rohm Semiconductor	2 569	QS5U33TRCT-ND	1,02000 €	Similaire

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