Name: SI2304DDS-T1-BE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SI2304DDS-T1-BE3TR-ND
Price: 0.6171 EUR
Availability: OutOfStock

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SI2304DDS-T1-BE3
Numéro de produit DigiKey	742-SI2304DDS-T1-BE3TR-ND - Bande et bobine 742-SI2304DDS-T1-BE3CT-ND - Bande coupée (CT) 742-SI2304DDS-T1-BE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SI2304DDS-T1-BE3
Description	MOSFET N-CH 30V 3.3A/3.6A SOT23
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	38 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 3,3 A (Ta), 3,6 A (Tc) 1,1W (Ta), 1,7W (Tc) Montage en surface SOT-23-3 (TO-236)
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 2,2V à 250µA
Fabricant Vishay Siliconix	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 6.7 nC @ 10 V
Série TrenchFET®	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 235 pF @ 15 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 1,1W (Ta), 1,7W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 30 V	Boîtier fournisseur SOT-23-3 (TO-236)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 3,3 A (Ta), 3,6 A (Tc)	Boîtier TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Numéro de produit de base SI2304
Rds On (max.) à Id, Vgs 60mohms à 3,2A, 10V

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Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
SI2304DDS-T1-GE3	Vishay Siliconix	0	SI2304DDS-T1-GE3CT-ND	0,51000 €	Équivalent paramétrique

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