Name: SI1416EDH-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI1416EDH-T1-GE3TR-ND
Price: 0.6171 EUR
Availability: InStock

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SI1416EDH-T1-GE3
Numéro de produit DigiKey	SI1416EDH-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SI1416EDH-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SI1416EDH-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SI1416EDH-T1-GE3
Description	MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT-363
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	27 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 3,9 A (Tc) 2,8W (Tc) Montage en surface SC-70-6
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Vishay Siliconix
Série	TrenchFET®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	3,9 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	2,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	58mohms à 3,1A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	1,4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	12 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±12V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	2,8W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	SC-70-6
Boîtier	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Numéro de produit de base	SI1416

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