Name: SI1411DH-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI1411DH-T1-GE3TR-ND
Price: 1.4278 EUR
Availability: InStock

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SI1411DH-T1-GE3
Numéro de produit DigiKey	SI1411DH-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SI1411DH-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SI1411DH-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SI1411DH-T1-GE3
Description	MOSFET P-CH 150V 420MA SOT363
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	11 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 150 V 420mA (Ta) 1W (Ta) Montage en surface SC-70-6
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Rds On (max.) à Id, Vgs 2,6ohms à 500mA, 10V
Fabricant Vishay Siliconix	Vgs(th) (max.) à Id 4,5V à 100µA
Série TrenchFET®	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 6.3 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 1W (Ta)
Type de FET Canal P	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 150 V	Boîtier fournisseur SC-70-6
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 420mA (Ta)	Boîtier 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Numéro de produit de base SI1411

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