Name: IRF630STRLPBF
Brand: Vishay Siliconix
SKU: IRF630STRLPBFTR-ND
Price: 2.662 EUR
Availability: InStock

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IRF630STRLPBF
Numéro de produit DigiKey	IRF630STRLPBFTR-ND - Bande et bobine IRF630STRLPBFCT-ND - Bande coupée (CT) IRF630STRLPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	IRF630STRLPBF
Description	MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	15 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 200 V 9 A (Tc) 3W (Ta), 74W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IRF630STRLPBF Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Fabricant Vishay Siliconix	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 43 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 800 pF @ 25 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 3W (Ta), 74W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 200 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 9 A (Tc)	Boîtier fournisseur TO-263 (D2PAK)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Boîtier TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Rds On (max.) à Id, Vgs 400mohms à 5,4A, 10V	Numéro de produit de base IRF630

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Documents et supports

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