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IRF610LPBF | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | IRF610LPBF-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IRF610LPBF |
Description | MOSFET N-CH 200V 3.3A I2PAK |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 37 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 200 V 3,3 A (Tc) 3W (Ta), 36W (Tc) Trou traversant I2PAK |
Fiche technique | Fiche technique |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 8.2 nC @ 10 V |
Conditionnement Tube | Vgs (max.) ±20V |
Statut du composant Actif | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 140 pF @ 25 V |
Type de FET | Dissipation de puissance (max.) 3W (Ta), 36W (Tc) |
Technologies | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tension drain-source (Vdss) 200 V | Type de montage Trou traversant |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur I2PAK |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Boîtier |
Rds On (max.) à Id, Vgs 1,5ohms à 2A, 10V | Numéro de produit de base |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| FQP4N20L | onsemi | 12 | FQP4N20L-ND | 1,48000 € | Similaire |
| IPP023N04NGXKSA1 | Infineon Technologies | 0 | IPP023N04NGXKSA1-ND | 0,00000 € | Similaire |
| IPP039N04LGXKSA1 | Infineon Technologies | 0 | 448-IPP039N04LGXKSA1-ND | 0,57628 € | Similaire |
| IPP041N04NGXKSA1 | Infineon Technologies | 516 | 448-IPP041N04NGXKSA1-ND | 1,50000 € | Similaire |
| IPP042N03LGXKSA1 | Rochester Electronics, LLC | 1 939 | 2156-IPP042N03LGXKSA1-ND | 0,77339 € | Similaire |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 000 | 0,67848 € | 678,48 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 0,67848 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 0,82096 € |





