Équivalent paramétrique
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Équivalent paramétrique
Équivalent paramétrique

VS-20ETF12STRR-M3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | VS-20ETF12STRR-M3-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | VS-20ETF12STRR-M3 |
Description | DIODE STANDARD 1200V 20A TO263AB |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 21 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Diode 1200 V 20A Montage en surface TO-263AB (D2PAK) |
Fiche technique | Fiche technique |
Catégorie | Vitesse Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io) |
Fabricant | Temps de recouvrement inverse (trr) 400 ns |
Conditionnement Bande et bobine | Courant - Fuite inverse à Vr 100 µA @ 1200 V |
Statut du composant Actif | Type de montage |
Technologies | Boîtier |
Tension - CC inverse (Vr) (max.) 1200 V | Boîtier fournisseur TO-263AB (D2PAK) |
Courant - Moyen redressé (Io) 20A | Température de fonctionnement - Jonction -40°C ~ 150°C |
Tension - Directe (Vf) (max.) à If 1.31 V @ 20 A | Numéro de produit de base |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| VS-20ETF12S-M3 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 5 020 | 112-VS-20ETF12S-M3-ND | 4,70000 € | Équivalent paramétrique |
| VS-20ETF12SLHM3 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 1 540 | VS-20ETF12SLHM3GICT-ND | 5,24000 € | Équivalent paramétrique |
| VS-20ETF12SPBF | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | VS-20ETF12SPBFGI-ND | 0,00000 € | Équivalent paramétrique |
| VS-20ETF12STRL-M3 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | VS-20ETF12STRL-M3-ND | 1,58554 € | Équivalent paramétrique |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 8 000 | 2,06706 € | 16 536,48 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 2,06706 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 2,50114 € |


