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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
En stock: 4 844
Prix unitaire : 0,59000 €
Fiche technique
Équivalent paramétrique
Équivalent paramétrique
Équivalent paramétrique
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
En stock: 7 017
Prix unitaire : 0,68000 €
Fiche technique
Équivalent paramétrique
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
En stock: 6 550
Prix unitaire : 0,68000 €
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Équivalent paramétrique
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
ESH1DHM3_A/H | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 112-ESH1DHM3_A/HTR-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | ESH1DHM3_A/H |
Description | DIODE STANDARD 200V 1A DO214AC |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 10 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Diode 200 V 1A Montage en surface DO-214AC (SMA) |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Courant - Fuite inverse à Vr 1 µA @ 200 V |
Fabricant | Capacité à Vr, F 25pF à 4V, 1MHz |
Conditionnement Bande et bobine | Grade Automobile |
Statut du composant Actif | Qualification AEC-Q101 |
Technologies | Type de montage |
Tension - CC inverse (Vr) (max.) 200 V | Boîtier |
Courant - Moyen redressé (Io) 1A | Boîtier fournisseur DO-214AC (SMA) |
Tension - Directe (Vf) (max.) à If 900 mV @ 1 A | Température de fonctionnement - Jonction -55°C ~ 175°C |
Vitesse Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io) | Numéro de produit de base |
Temps de recouvrement inverse (trr) 25 ns |
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Substituts (8)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| ESH1D-E3/61T | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 4 844 | 112-ESH1D-E3/61TCT-ND | 0,59000 € | Équivalent paramétrique |
| ESH1D-M3/5AT | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | ESH1D-M3/5AT-ND | 0,12041 € | Équivalent paramétrique |
| ESH1D-M3/61T | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | ESH1D-M3/61T-ND | 0,12041 € | Équivalent paramétrique |
| ESH1DHE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 7 017 | 112-ESH1DHE3_A/HCT-ND | 0,68000 € | Équivalent paramétrique |
| ESH1DHE3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 6 550 | 112-ESH1DHE3_A/ICT-ND | 0,68000 € | Équivalent paramétrique |
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Bande et bobine
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 14 400 | 0,13363 € | 1 924,27 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 0,13363 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 0,16169 € |
