Name: V12P8HM3_A/H
Brand: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
SKU: 112-V12P8HM3_A/HTR-ND
Price: 1.1132 EUR
Availability: InStock

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V12P8HM3_A/H
Numéro de produit DigiKey	112-V12P8HM3_A/HTR-ND - Bande et bobine 112-V12P8HM3_A/HCT-ND - Bande coupée (CT) 112-V12P8HM3_A/HDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Numéro de produit du fabricant	V12P8HM3_A/H
Description	DIODE SCHOTTKY 80V 12A TO277A
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	15 semaines
Référence client
Description détaillée	Diode 80 V 12A Montage en surface TO-277A (SMPC)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Diodes Redresseurs Diodes simples
Fabricant	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Série	eSMP®, TMBS®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Technologies	Schottky
Tension - CC inverse (Vr) (max.)	80 V
Courant - Moyen redressé (Io)	12A
Tension - Directe (Vf) (max.) à If	660 mV @ 12 A
Vitesse	Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io)
Courant - Fuite inverse à Vr	1 mA @ 80 V
Capacité à Vr, F	-
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	TO-277, 3-PowerDFN
Boîtier fournisseur	TO-277A (SMPC)
Température de fonctionnement - Jonction	-40°C ~ 150°C
Numéro de produit de base	V12P8