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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
FESB16JTHM3/I | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 112-FESB16JTHM3/ITR-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | FESB16JTHM3/I |
Description | DIODE STANDARD 600V 16A TO263AB |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 9 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Diode 600 V 16A Montage en surface TO-263AB (D2PAK) |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Courant - Fuite inverse à Vr 10 µA @ 600 V |
Fabricant | Capacité à Vr, F 145pF à 4V, 1MHz |
Conditionnement Bande et bobine | Grade Automobile |
Statut du composant Actif | Qualification AEC-Q101 |
Technologies | Type de montage |
Tension - CC inverse (Vr) (max.) 600 V | Boîtier |
Courant - Moyen redressé (Io) 16A | Boîtier fournisseur TO-263AB (D2PAK) |
Tension - Directe (Vf) (max.) à If 1.5 V @ 16 A | Température de fonctionnement - Jonction -65°C ~ 150°C |
Vitesse Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io) | Numéro de produit de base |
Temps de recouvrement inverse (trr) 50 ns |
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Ressources supplémentaires
Substituts (2)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| FESB16JT-M3/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | 112-FESB16JT-M3/ITR-ND | 1,33411 € | Équivalent paramétrique |
| FESB16JTHE3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 800 | 112-FESB16JTHE3_A/ICT-ND | 0,82921 € | Équivalent paramétrique |
Disponible sur commande
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Quantité
Tous les prix sont en EUR
Bande et bobine
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 800 | 1,52375 € | 1 219,00 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 1,52375 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 1,84374 € |
