Name: TW070J120B,S1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TW070J120BS1Q-ND
Price: 21.19242 EUR
Availability: OutOfStock

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TW070J120B,S1Q
Numéro de produit DigiKey	264-TW070J120BS1Q-ND
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TW070J120B,S1Q
Description	SICFET N-CH 1200V 36A TO3P
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	15 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 1200 V 36 A (Tc) 272W (Tc) Trou traversant TO-3P(N)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	TW070J120B,S1Q Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	-
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	SiCFET (carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss)	1200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	36 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	20V
Rds On (max.) à Id, Vgs	90mohms à 18A, 20V
Vgs(th) (max.) à Id	5,8V à 20mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	67 nC @ 20 V
Vgs (max.)	±25V, -10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1680 pF @ 800 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	272W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-3P(N)
Boîtier	TO-3P-3, SC-65-3
Numéro de produit de base	TW070J120

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Quantité

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Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
25	17,51440 €	437,86 €

Conditionnement standard du fabricant

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