Name: TPWR8004PL,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPWR8004PLL1QTR-ND
Price: 4.356 EUR
Availability: InStock

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TPWR8004PL,L1Q
Numéro de produit DigiKey	TPWR8004PLL1QTR-ND - Bande et bobine TPWR8004PLL1QCT-ND - Bande coupée (CT) TPWR8004PLL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TPWR8004PL,L1Q
Description	MOSFET N-CH 40V 150A 8DSOP
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 40 V 150 A (Tc) 1W (Ta), 170W (Tc) Montage en surface 8-DSOP Advance
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	TPWR8004PL,L1Q Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 2,4V à 1mA
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 103 nC @ 10 V
Série U-MOSIX-H	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 9600 pF @ 20 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 1W (Ta), 170W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 40 V	Boîtier fournisseur 8-DSOP Advance
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 150 A (Tc)	Boîtier 8-PowerVDFN
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Numéro de produit de base TPWR8004
Rds On (max.) à Id, Vgs 0,8mohms à 50A, 10V