Name: TPN3300ANH,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPN3300ANHLQTR-ND
Price: 1.5125 EUR
Availability: InStock

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TPN3300ANH,LQ
Numéro de produit DigiKey	TPN3300ANHLQTR-ND - Bande et bobine TPN3300ANHLQCT-ND - Bande coupée (CT) TPN3300ANHLQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TPN3300ANH,LQ
Description	MOSFET N-CH 100V 9.4A 8TSON
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 9,4 A (Tc) 700mW (Ta), 27W (Tc) Montage en surface 8-TSON Advance (3,3x3,3)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	TPN3300ANH,LQ Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 100µA
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 11 nC @ 10 V
Série U-MOSVIII-H	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 880 pF @ 50 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 700mW (Ta), 27W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 100 V	Boîtier fournisseur 8-TSON Advance (3,3x3,3)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 9,4 A (Tc)	Boîtier 8-PowerVDFN
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Numéro de produit de base TPN3300
Rds On (max.) à Id, Vgs 33mohms à 4,7A, 10V

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

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Quantité

Tous les prix sont en EUR

Bande coupée (CT) & Digi-Reel®

* Toutes les commandes Digi-Reel entraînent des frais de bobinage de 5,50 €.

Bande et bobine

Conditionnement standard du fabricant

Prix unitaire sans TVA:	1,25000 €
Prix unitaire avec TVA:	1,51250 €

TPN3300ANH,LQ