Name: TPH2R306NH1,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPH2R306NH1LQTR-ND
Price: 2.5168 EUR
Availability: InStock

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TPH2R306NH1,LQ
Numéro de produit DigiKey	264-TPH2R306NH1LQTR-ND - Bande et bobine 264-TPH2R306NH1LQCT-ND - Bande coupée (CT) 264-TPH2R306NH1LQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TPH2R306NH1,LQ
Description	UMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	24 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 136 A (Tc) 800mW (Ta), 170W (Tc) Montage en surface 8-SOP Advance (5x5,75)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Rds On (max.) à Id, Vgs 2,3mohms à 50A, 10V
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 1mA
Série U-MOSVIII-H	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 72 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 6100 pF @ 30 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 800mW (Ta), 170W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement 150°C
Tension drain-source (Vdss) 60 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 136 A (Tc)	Boîtier fournisseur 8-SOP Advance (5x5,75)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 6,5V, 10V	Boîtier 8-PowerTDFN